• English

  • 电子科技大学

邓小川

一直从事宽禁带半导体SiC功率器件理论、模型和新结构研究，在SiC电力电子器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构及其理论模型、器件研制和可靠性等方面具有丰富经验。主持了国家科技重大专项课题、国家自然科学基金重点项目/面上项目、国家重点研发计划课题、挑战计划项目课题、以及国内外校企合作课题等多项研究；在电力电子器件领域的国际Top期刊（一区和二区）IEEE Trans. Power Electronics、IEEE Electron Device letter、IEEE Trans. Electron Devices、IEEE Trans. Industrial Electronics、IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics，以及国际顶级学术会议ISPSD、ICSCRM、ICSICT等国际、国...

查看更多>>

同专业博导
科研项目 中文主页 > 科学研究 > 科研项目

超大功率射频LDMOS的产品研究

发布时间： 2020-07-08 点击次数：

  • 项目简要备注：国家科技重大专项课题
上一条： 高温SiC DMOS器件电热物理场耦合模型与加固新结构研究

清水河校区：成都市高新区（西区）西源大道2006号　邮编： 611731  
沙河校区：成都市建设北路二段四号　邮编：610054
蜀ICP备 05006379 号   I　川公网安备 51019002000280 号

访问量： | 开通时间：// | 最后更新时间：//