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邓小川

一直从事宽禁带半导体SiC功率器件理论、模型和新结构研究，在SiC电力电子器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构及其理论模型、器件研制和可靠性等方面具有丰富经验。主持了国家科技重大专项课题、国家自然科学基金重点项目/面上项目、国家重点研发计划课题、挑战计划项目课题、以及国内外校企合作课题等多项研究；在电力电子器件领域的国际Top期刊（一区和二区）IEEE Trans. Power Electronics、IEEE Electron Device letter、IEEE Trans. Electron Devices、IEEE Trans. Industrial Electronics、IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics，以及国际顶级学术会议ISPSD、ICSCRM、ICSICT等国际、国...

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An Enhanced High Frequency Performance Sic MOSFET With Self-adjusting P-shield Region Potential

发布时间： 2020-07-08 点击次数：

发表刊物：Semiconductor Science and Technology
通讯作者：Xiaochuan Deng
卷号：37
期号：7
页面范围：085019
是否译文：否
发表时间：2022-07-01

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