郭贤生
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上一条 ： [23] 杜江锋, 严慧 等. 一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管, 中国发明专利, 申请日期：2013.08.21，授权号：ZL201310364505.1，授权日期：2017.04.19
下一条 ： [21] 杜江锋, 潘沛霖, 王康 等. 一种具有局部背势垒的氮化镓基功率异质结场效应晶体管. 中国发明专利, 申请日期：2014.11.24，授权号：ZL201410679795.3，授权日期：2017.04.05
