The Study of the Device Performance of the Hetero-junction Vertical Trench MOSFET
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发表刊物：2021 IEEE 4th International Conference on Electronics Technology (ICET)
论文类型：会议论文
文献类型：C
是否译文：否
廖永波 (副教授)
副教授 硕士生导师
主要任职：教师
性别：男
毕业院校：电子科技大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在职人员
所在单位：集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）
入职时间：1999-07-01
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：清水河校区国际创新中心B栋419
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