副教授 硕士生导师
主要任职：教师
性别：男
毕业院校：电子科技大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在职人员
所在单位：集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）
入职时间：1999-07-01
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：清水河校区国际创新中心B栋419
电子邮箱：10049f2ecec39b2772b40bd0e537871cbdca7f4e3be4c542f66a58a33a971c30c504d9b05fe02e941ce4694a8b2d8a41e5c6b3c49467aba6cde4f1c39537e3fd98018c3f23962998d7aab91502db5e1fc216748b215e9adb26612190beeb2da4e64e2b62b522173ab5d81e13f0628c4c35db3bcb10594fee326300b0e55bb1d1
一种新型DRAM集成电路的结构
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所属单位：电子科技大学
专利说明：一种新型DRAM集成电路的结构，涉及集成电路技术和半导体技术。本发明是基于一种新型的纵向柱状TMOS器件结构,最下层为N+掺杂衬底和N‑外延层作为漏极，中间是P外延层作为栅极沟道，最上方是N+锗硅外延层作为源极。柱状结构的外圈被氧化层包围，其中三面覆盖多晶硅层作为栅极，剩下一面覆盖金属层与MOS管的漏极形成电容。多晶硅上有一个引线孔，接字线。锗硅层上是另一个引线孔，接位线。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种DRAM结构，提供一种新型DRAM集成电路的结构，实现器件的小面积、高电流密度、低导通电...
专利状态：授权
授权号：ZL201911306287.X
是否职务专利：否
申请日期：2019-12-18
授权日期：2022-12-06
公开日期：2020-02-21
