个人信息
教师姓名：邓高强
教师拼音名称：denggaoqiang
电子邮箱：gqdeng@uestc.edu.cn
入职时间：2024-04-01
所在单位：集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）
学历：博士研究生毕业
性别：男
学位：工学博士学位
职称：副教授
在职信息：在职人员
毕业院校：电子科技大学
硕士生导师
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所属院系： 集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）
其他联系方式
邮箱：
著作成果
论文成果
- [1] Modelling the 3-D Charge-Sharing in Field-Plate Power MOSFETs with Circular Layouts.IEEE Transactions on Electron Devices.2024,71(3):1752-1757
- [2] 3-D Segmented Gate Concept: A New IGBT Solution for Reduced Loss and Improved Safe-Operating Area.IEEE Transactions on Electron Devices.2023,70(6):3172-3178
- [3] A Novel IGBT with Voltage-Clamping for Turn-on Overshoot Suppression Under Hard-Switching.IEEE Transactions on Electron Devices.2021,68(10):5326-5329
- [4] Experimental Study of 600 V Accumulation-Type Lateral Double-Diffused MOSFET With Ultra-Low On-Resistance.IEEE Electron Device Letters.2020,41(3):465-468
- [5] An Injection Enhanced LIGBT on Thin SOI Layer Compatible With CMOS Process.IEEE Transactions on Electron Devices.2019,66(6):2681-2685
研究领域
（1）硅基功率半导体器件建模、设计和应用
（2）GaN基功率半导体器件设计和应用
