个人信息

  • 教师姓名：杜江锋

  • 教师拼音名称：Du Jiangfeng

  • 电子邮箱：jfdu@uestc.edu.cn

  • 所在单位：集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）

  • 职务：Professor

  • 学历：博士研究生毕业

  • 办公地点：电子科技大学清水河校区成电国际创新中心A410

  • 性别：男

  • 学位：工学博士学位

  • 职称：教授

  • 在职信息：在职人员

  • 毕业院校：电子科技大学

  • 博士生导师

  • 学科：电子与信息
    微电子学与固体电子学
    集成电路工程

其他联系方式

  • 暂无内容

论文成果

Design optimization of high breakdown voltage vertical GaN junction barrier Schottky diode with high-/low- compound dielectric structure

发布时间：2025-03-04  点击次数：

发表刊物：Chinese Physics B

卷号：32

期号：1

页面范围：017306

是否译文：否

发表时间：2023-01-01

上一条：Design Optimization of an Enhanced-Mode GaN HEMT with Hybrid Back Barrier and Breakdown Voltage Prediction Based on Neural Networks

下一条：Zhiyuan Bai, Jiangfeng Du*, Hao Wang, Xiaoyun Li, Qi Yu. "Simulation Design of High Baliga’s Figure of Merit Normally-off P-GaN gate AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors with Junction Field Plates", Superlattices and Microstructures, 123:257-266 (2018) . (SCI)

    清水河校区：成都市高新区（西区）西源大道2006号　邮编： 611731  
    沙河校区：成都市建设北路二段四号　邮编：610054
    蜀ICP备 05006379 号   I　川公网安备 51019002000280 号