个人信息
教师姓名:杜江锋
教师拼音名称:Du Jiangfeng
电子邮箱:jfdu@uestc.edu.cn
所在单位:集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院)
职务:Professor
学历:博士研究生毕业
办公地点:电子科技大学清水河校区成电国际创新中心A410
性别:男
学位:工学博士学位
职称:教授
在职信息:在职人员
毕业院校:电子科技大学
博士生导师
-
学科:电子与信息
微电子学与固体电子学
集成电路工程
其他联系方式
暂无内容
科研项目
专利
- [1] Jiangfeng Du, Zhenchao Li, Dong Liu, Zhiyuan Bai, Qi Yu, Shuzhou Li. SEMICONDUCTOR STRUCTURE, SEMICONDUCTOR ASSEMBLY AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE,美国专利US 10,978,584 B2,Apr.13, 2021
- [2] 杜江锋,刘东,白智元,潘沛霖,于奇. 电荷补偿耐压结构垂直氮化镓基异质结场效应管, 中国发明专利, 申请日期:2015.07.14,授权号:ZL201510410936.6, 授权日期:2018.0615
- [3] 杜江锋, 陈南庭,潘沛霖,于奇. 具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管. 中国发明专利, 申请日期:2014.09.05,授权号:ZL201410454183.4,授权日期:2018.04.20
- [4] 杜江锋, 潘沛霖,等. 一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管. 中国发明专利, 申请日期:2014.10.11,授权号:ZL201410534795.4,授权日期:2018.01.12
- [5] 杜江锋, 潘沛霖, 陈南庭, 于奇. 一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管. 中国发明专利, 申请日期:2014.08.27,授权号:ZL201410427708.5,授权日期:2017.11.14
论文成果
- [1] Design optimization of wide-gate swing E-mode GaN HEMTs with junction barrier Schottky gate.JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
- [2] Design Optimization of an Enhanced-Mode GaN HEMT with Hybrid Back Barrier and Breakdown Voltage Prediction Based on Neural Networks.Electronics.2024,13:2937
- [3] Design optimization of high breakdown voltage vertical GaN junction barrier Schottky diode with high-/low- compound dielectric structure.Chinese Physics B.2023,32(1):017306
- [4] Zhiyuan Bai, Jiangfeng Du*, Hao Wang, Xiaoyun Li, Qi Yu. "Simulation Design of High Baliga’s Figure of Merit Normally-off P-GaN gate AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors with Junction Field Plates", Superlattices and Microstructures, 123:257-266 (2018) . (SCI)
- [5] Zhiyuan Bai, Jiangfeng Du*, Qi Xin, Ruonan Li, Qi Yu. "Numerical Analysis of Reverse Blocking Enhancement in High-K Passivation AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with Gated Edge Termination", Superlattices and Microstructures, 114:143-153 (2018) . (SCI)
研究领域
研究方向1:宽禁带GaN微波功率器件及MMIC
--- 微波功率GaN HEMT器件理论、工艺、测试和MMIC技术。
--- 毫米波AlGaN/GaN HEMT、InAlN/GaN HEMT。研究方向2:GaN电力电子器件及功率集成技术
--- 高耐压AlGaN/GaN HFET理论建模、新结构优化设计和工艺实验。
--- 高压大电流GaN基功率器件参数提取和模块化。研究方向3:电源管理芯片电路设计
--- 高频高效的栅极驱动电路芯片设计。
--- DC/DC电源管理转换器芯片设计。研究方向4:电子元器件失效分析与可靠性研究