● 研究方向:  主要从事新型功率半导体器件（功率MOSFET、IGBT、功率二极管、超结功率器件、功率LDMOS、功率JFET等）、宽禁带半导体器件（碳化硅SiC MOS、氮化镓GaN HEMT、氧化镓Ga2O3等功率半导体器件及集成技术）、新型功率器件与功率集成电路，新型电源集成电路设计（电源管理芯片、功率器件驱动芯片等），以及新型材料半导体器件及集成电路技术。相关研究成果和专利已受到业界和同行的关注，部分已进行成果转化，并获市场应用。