副教授 硕士生导师
主要任职：教师
性别：男
毕业院校：电子科技大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在职人员
所在单位：集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）
入职时间：1999-07-01
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：清水河校区国际创新中心B栋419
电子邮箱：10049f2ecec39b2772b40bd0e537871cbdca7f4e3be4c542f66a58a33a971c30c504d9b05fe02e941ce4694a8b2d8a41e5c6b3c49467aba6cde4f1c39537e3fd98018c3f23962998d7aab91502db5e1fc216748b215e9adb26612190beeb2da4e64e2b62b522173ab5d81e13f0628c4c35db3bcb10594fee326300b0e55bb1d1
一种FinFET集成电路基本单元
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所属单位：电子科技大学
专利说明：本发明公开了一种FinFET集成电路基本单元，涉及微电子技术和集成电路领域。该基本单元为多层结构，最下层为低掺杂阱区，该低掺杂阱区包括底层和在底层上脊状凸起；该脊状凸起两侧设置有隔离层，该隔离层上表面与低掺杂阱区脊状凸起的上表面齐平；顺着低掺杂阱区脊状凸起的上表面依次设置两侧面和上表面都齐平的：漏极半导体区、轻掺杂漏区、沟道半导体区、轻掺杂源区、源极半导体区；所述沟道半导体区的两侧面和上表面上设置有栅电极，并且该栅电极与沟道半导体区之间设置有一层栅介质层作为隔离。本发明包裹沟道区和N‑掺杂区的栅氧化层的介
申请号：CN202111015860.9
授权号：CN113838911B
是否职务专利：否
申请日期：2021-08-31
授权日期：2023-03-21
公开日期：2021-12-24
