副教授 硕士生导师
主要任职：教师
性别：男
毕业院校：电子科技大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在职人员
所在单位：集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）
入职时间：1999-07-01
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：清水河校区国际创新中心B栋419
电子邮箱：10049f2ecec39b2772b40bd0e537871cbdca7f4e3be4c542f66a58a33a971c30c504d9b05fe02e941ce4694a8b2d8a41e5c6b3c49467aba6cde4f1c39537e3fd98018c3f23962998d7aab91502db5e1fc216748b215e9adb26612190beeb2da4e64e2b62b522173ab5d81e13f0628c4c35db3bcb10594fee326300b0e55bb1d1
一种新型互补MOS集成电路基本单元
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所属单位：电子科技大学
专利说明：一种新型互补MOS集成电路基本单元，涉及微电子技术和半导体技术。本发明的新型互补MOS集成电路基本单元采用一种新型的TMOS结构，该结构为纵向结构，在纵向上分别设置有源极半导体区域、沟道半导体区域以及漏极半导体区域；在水平方向上四周环绕着栅极区域，栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层，底部漏极可通过刻槽的方式从外侧引出。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型CMOS基本单元，实现大规模集成电路集成度的显著提高；以及由于加入了轻掺杂漂移区，能够有效提升器件的耐压，降低沟道长度减小对器件和电路耐压的影响
申请号：CN201911306288.4
授权号：CN111063685B
是否职务专利：否
申请日期：2019-12-28
授权日期：2023-04-14
公开日期：2020-04-24
