李虞锋，研究员，硕士生、博士生导师，中国科学技术大学应用物理学学士，美国Rensselaer Polytechnic Institute应用物理学博士，美国耶鲁大学访问研究员、曾担任西安交通大学研究员、电子物理与器件教育部重点实验室副主任、国家半导体照明工程研发及产业联盟紫外LED专业委员会(CSA-UV)委员、太赫兹科学技术四川省重点实验室学术委员会委员、全国MOCVD学术会议组织委员会委员。长期从事集成光电子材料与器件、异质、异构混合集成技术、微纳制造与传感等领域的研究工作，重点聚焦III-V族宽禁带半导体微纳结构新器件的设计与制备。在光电子领域的国际期刊和会议上发表学术论文90余篇，获授权发明专利27项（含3项美国发明专利），主持主研国自然面上项目、科技部重点研发课题、省部级项目以及重大横向项目等。曾任职于美国通用电气全球研发中心（GRC）及麻省理工（MIT）孵化高科技企业，主导开发高质量外延生长、大功率芯片工艺达到国际先进水平。