研究方向1：高性能GaN功率器件的失效机制研究

       目前，受限于III-V族材料复杂的材料特性，对GaN器件复杂失效机制研究尚不充分，GaN功率器件尚未完全发挥氮化镓材料性能优势。对于GaN功率器件击穿机制的研究和耐压技术的开发，始终是学术界和产业界共同关注的重要领域。

研究方向2：GaN功率集成和GaN功率二极管

      开发GaN单片集成功率IC和相应的GaN功率二极管具有极高的研究意义和潜在市场价值。传统GaN肖特基二极管需要利用肖特基阳极控制二极管开启与关断，同时兼顾电流传导的双重功能。同时,肖特基阳极也很难和现有的增强型功率开关器件实现工艺兼容，不适于功率集成IC。课题组深入研究了GaN混合阳极二极管的结构优化和器件机理，以此为基础开发了相应的GaN功率集成技术。

研究方向3：增强型GaN功率器件

     GaN增强型开关器件是目前研究的重点，其中p-GaN栅、凹槽栅GaN功率器件是实现增强型器件的一种技术方案而受到广泛的关注。目前，课题组对p-GaN栅、凹槽栅GaN功率器件研究包括了低损伤栅槽刻蚀技术，阈值电压调控机理和栅介质开发，形成了从工艺方法到器件机理的完整研究体系。

研究方向4：高性能GaN垂直结构功率器件。

    基于异质结结构的GaN功率器件属于传统上的平面结构器件，对于发挥GaN材料性能优势存在天然的极限。垂直结构是发挥材料优势的理想形式，目前开发GaN垂直结构功率器件是学术界研究的热点。