祝贺周靖贵、唐磊、高欢！

周靖贵关于Self-Aligned p-GaN Gate Controlled Diode的研究工作已被ISPSD-Japan (2025) 录用。

论文标题："Self-Aligned p-GaN Gate Controlled Diode with Tunable Forward Conduction/Reverse Blocking Properties for High Efficiency Buck Converter"

唐磊关于Reliability of 650V p-GaN Gate HEMTs Under Long-Term HTRB Stress的研究工作已被ISPSD-Japan (2025) 录用。

论文标题："A Comprehensive Study on Device Reliability and Failure Mechanism of 650V p-GaN Gate HEMTs Under Long-Term HTRB Stress Beyond 150 ℃"

高欢关于Heavy-Ion Radiation-Induced Dynamic On-Resistance Degradation for P-GaN Gate HEMTs的研究工作已被ISPSD-Japan (2025) 录用。

论文标题："Heavy-Ion Radiation-Induced Dynamic On-Resistance Degradation for P-GaN Gate HEMTs"

祝贺匡黎、启航、王龙！

匡黎关于Device Instability in the Third Quadrant of Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs的研究工作已被ICSICT-Zhuhai (2024) 录用。

论文标题："Device Instability in the Third Quadrant of Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs: The Hole Defficiency & Trapping Effect"

启航关于The UIS Withstand Capability of 650 V p-GaN Gate HEMTs的研究工作已被ICSICT-Zhuhai (2024) 录用。

论文标题："The UIS Withstand Capability and Device Failure Mechanism of 650 V p-GaN Gate HEMTs"

王龙关于The instability of Vth and Rds,on in P-GaN Gate HEMTs Under Repetitive ShortCircuit Stress的研究工作已被ICSICT-Zhuhai (2024) 录用。

论文标题："The non-monotonic instability of VTH and Rds,on in P-GaN Gate HEMTs Under Repetitive ShortCircuit Stress: The role of electric-field & selfheating effect"

祝贺匡黎！

匡黎关于E-mode GaN p-MISFET的研究工作已被ISPSD-Bremen (2024) 录用。

论文标题："A Novel E-mode GaN p-MISFET with Hole Compensation Effect Achieving High Drain Current and Ultra-Low Subthreshold Slope"

祝贺凯弟！

凯弟关于Threshold voltage instability of p-GaN gate HEMT in 48-12V buck converter的研究工作已被ISPSD-Bremen (2024) 录用。

论文标题："Threshold voltage instability of p-GaN gate HEMT in 48-12V buck converter & its impact on circuit power loss variation"

祝贺文娟！

文娟关于trap dynamic detection的研究工作已被12MTC-Malaysia (2023) 录用。

论文标题："Trap Dynamic Detection of GaN HEMT under Repetitive Short Circuit Degradation"

祝贺佳瑞！

佳瑞的硕士学位论文《Research on Reliability and Mechanism of p-GaN Gate HEMTs Under Off-state Stress》荣获2023年电子科技大学优秀硕士学位论文。

祝贺周琦老师团队！

周老师荣获2022年教育部自然科学奖二等奖。

祝贺文娟和超武！

文娟和超武关于Novel Fault Diagnosis Strategy for Analog System的研究工作已被PHM-Yantai (2022) 录用。

论文标题："Mixture Test Optimization for Analog System"

祝贺佳瑞！

佳瑞荣获四川省优秀毕业生称号。

佳瑞荣获电子科技大学优秀毕业生称号。

佳瑞荣获电子科技大学优秀研究生称号。

祝贺鹏翔！

鹏翔荣获电子科技大学学术青苗荣誉。

鹏翔荣获电子科技大学优秀毕业生称号。

鹏翔荣获电子科技大学优秀研究生称号。

祝贺靖宇！

靖宇荣获中国电源学会第二十四届学术年会优秀论文奖。

祝贺明哲和竞研！

明哲荣获电子科技大学优秀研究生干部（Outstanding Postgraduate Cadre of the UESTC）。

明哲荣获电子科技大学优秀研究生助教（Outstanding Postgraduate Teaching Assistant of the UESTC）。

竞研荣获电子科技大学优秀研究生干部（Outstanding Postgraduate Cadre of the UESTC）。

祝贺靖宇、佳瑞、洛华和匡黎！

靖宇、佳瑞和洛华荣获集成电路创新创业大赛西南赛区一等奖。

靖宇、佳瑞和洛华荣获集成电路创新创业大赛全国三等奖。

匡黎荣获中国研究生创"芯"大赛全国三等奖。

祝贺超武、佳瑞和匡黎！

超武关于device degradation and recovery dynamics of p-GaN Gate HEMTs的研究工作被ISPSD (2022) 录用为口头报告。

论文标题："Physical Mechanism of Device Degradation & its Recovery Dynamics of p-GaN Gate HEMTs Under Repetitive Short Circuit Stress"

（ISPSD是功率器件领域的顶级会议，在GaN领域，中国大陆仅有两篇入选口头报告）

佳瑞关于Self-heating effect of p-GaN Gate HEMTs的研究工作被IEEE-TED (2022) 录用。

论文标题："The Device Instability of p-GaN Gate HEMTs Induced by Self-Heating Effect Investigated by on-State Drain Current Injection (DCI) Technique"

匡黎关于Novel E-mode GaN p-MOSFET的研究工作被J. Phys. D: Appl. Phys (2022) 录用。

论文标题："A novel E-mode GaN p-MOSFET featuring charge storage layer with high current density"

祝贺李阳和鹏翔！

李阳关于Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure的研究工作被IEEE-TED (2022) 录用。

论文标题："The Modulation Effect of LPCVD-SiₓNy Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure"

鹏翔关于Novel Trench-Gated Vertical GaN Transistor的研究工作被IEEE-TED (2022) 录用。

论文标题："A Novel Trench-Gated Vertical GaN Transistor With Dual-Current-Aperture by Electric-Field Engineering for High Breakdown Voltage"

祝贺周老师！

周老师被聘为Journal of Semiconductor (JOS) 青年学者编委。

祝贺周老师！

周老师被聘为Microelectronic Engineering (MEE) 副编辑/领域编辑。

祝贺周老师！

周老师被推荐为 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021-2023) 技术程序委员会委员（TPC member）。

（SSDM由日本应用物理学会主办，已有50余年历史，在工程领域具有重要影响力）

祝贺李阳和匡黎！

李阳关于low leakage AlGaN/GaN power diode的研究工作被ICSICT2020 录用为口头报告。

论文标题："A Novel Ultra-thin-barrier AlGaN/GaN MIS-gated Hybrid Anode Diode Featuring Improved High-temperature Reverse Blocking Characteristics"

匡黎关于novel GaN JFET的研究工作被ICSICT2020 录用为口头报告。

论文标题："A Novel GaN Junction Field-Effect Transistor with Intrinsic Reverse Conduction Capability"

祝贺彭黄！

彭黄荣获CPSSC'2019最佳学生论文奖！

彭黄展示了其关于kilo-volts breakdown的vertical GaN superjunction FETs的研究工作。