研究方向1：高性能GaN功率器件的失效机制研究

       目前，受限于III-V族材料复杂的材料特性，对GaN器件复杂失效机制研究尚不充分，GaN功率器件尚未完全发挥氮化镓材料性能优势。对于GaN功率器件击穿机制的研究和耐压技术的开发，始终是学术界和产业界共同关注的重要领域。

研究方向2：GaN功率集成和GaN功率二极管

      开发GaN单片集成功率IC和相应的GaN功率二极管具有极高的研究意义和潜在市场价值。传统GaN肖特基二极管需要利用肖特基阳极控制二极管开启与关断，同时兼顾电流传导的双重功能。同时,肖特基阳极也很难和现有的增强型功率开关器件实现工艺兼容，不适于功率集成IC。课题组深入研究了GaN混合阳极二极管的结构优化和器件机理，以此为基础开发了相应的GaN功率集成技术。

研究方向3：增强型GaN功率器件

     GaN增强型开关器件是目前研究的重点，其中p-GaN栅、凹槽栅GaN功率器件是实现增强型器件的一种技术方案而受到广泛的关注。目前，课题组对p-GaN栅、凹槽栅GaN功率器件研究包括了低损伤栅槽刻蚀技术，阈值电压调控机理和栅介质开发，形成了从工艺方法到器件机理的完整研究体系。

研究方向4：高性能GaN垂直结构功率器件。

    基于异质结结构的GaN功率器件属于传统上的平面结构器件，对于发挥GaN材料性能优势存在天然的极限。垂直结构是发挥材料优势的理想形式，目前开发GaN垂直结构功率器件是学术界研究的热点。

研究方向

恭喜靖贵，唐磊，高欢，书婷和彭嵘！

靖贵关于“自对准p-GaN栅控二极管”的研究被 ISPSD-日本（2025） 接收：  

"Self-Aligned p-GaN Gate Controlled Diode with Tunable Forward Conduction/Reverse Blocking Properties for High Efficiency Buck Converter"

唐磊关于“650V p-GaN栅HEMT长期HTRB应力可靠性”的研究被 ISPSD-日本（2025）接收：  

"A Comprehensive Study on Device Reliability and Failure Mechanism of 650V p-GaN Gate HEMTs Under Long-Term HTRB Stress Beyond 150 ℃"

高欢关于“p-GaN栅HEMT重离子辐射动态导通电阻退化”的研究被 ISPSD-日本（2025）接收：  

"Heavy-Ion Radiation-Induced Dynamic On-Resistance Degradation for P-GaN Gate HEMTs"

彭嵘和书婷关于“650V p-GaN HEMT浪涌电流能力与失效模式”的研究被 ISPSD-日本（2025）接收：  

"Comparison Study on Surge Current Capability and Different Failure Modes of 650 V p-GaN HEMTs"

恭喜匡黎，啟航，王龙！

匡黎关于“肖特基型p-GaN栅HEMT第三象限器件不稳定性”的研究被 ICSICT-珠海（2024） 接收：  

"Device Instability in the Third Quadrant of Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs: The Hole Defficiency & Trapping Effect"

啟航关于“650V p-GaN栅HEMT UIS耐受能力”的研究被 ISPSD-珠海（2024）接收：  

"The UIS Withstand Capability and Device Failure Mechanism of 650 V p-GaN Gate HEMTs" 

王龙关于“p-GaN栅HEMT阈值电压与导通电阻非单调不稳定性”的研究被 ICSICT-珠海（2024）接收：  

"The non-monotonic instability of V_TH and R_ds,on in P-GaN Gate HEMTs Under Repetitive ShortCircuit Stress: The role of electric-field & selfheating effect"  

恭喜匡黎!

匡黎关于“增强型p-MISFET”的研究被ISPSD-不来梅（2024）接收：

"A Novel E-mode GaN p-MISFET with Hole Compensation Effect Achieving High Drain Current and Ultra-Low Subthreshold Slope"

恭喜凯弟！

凯弟关于“48-12V降压转换器中p-GaN栅HEMT阈值电压不稳定性”的研究被 ISPSD-不来梅（2024）接收：  

"Threshold voltage instability of p-GaN gate HEMT in 48-12V buck converter & its impact on circuit power loss variation"

恭喜文娟！  

文娟关于“GaN HEMT陷阱动态检测”的研究被 12MTC-马来西亚（2023）接收：  

"Trap Dynamic Detection of GaN HEMT under Repetitive Short Circuit Degradation"

恭喜佳瑞！

佳瑞的硕士论文《p-GaN栅HEMT关态应力下可靠性及机理研究》获评 “2023年电子科技大学优秀硕士学位论文”。  

恭喜周琦教授团队！

周琦教授获 2022年教育部自然科学奖二等奖。 

恭喜文娟和超武！

文娟和超武关于“模拟系统故障诊断策略”的研究被 PHM-烟台（2022）接收：  

"Mixture Test Optimization for Analog System"

恭喜佳瑞!

佳瑞获“四川省优秀毕业生”、“电子科技大学优秀毕业生”及“电子科技大学优秀研究生”称号。

恭喜鹏翔！

鹏翔获“电子科技大学学术青苗”荣誉称号及“电子科技大学优秀毕业生”称号。

恭喜靖宇！

靖宇获“中国电源学会第二十四届学术年会优秀论文奖”。

恭喜明哲和竞研！

明哲获“电子科技大学优秀研究生干部”与“优秀研究生助教”称号。

竞研获“电子科技大学优秀研究生干部”称号。

恭喜靖宇、佳瑞、罗华和匡黎！

靖宇、佳瑞、罗华获“集成电路创新创业大赛西南赛区一等奖”及“集成电路创新创业大赛全国三等奖”。

匡黎获“中国研究生创“芯”大赛全国三等奖”。

恭喜超武、佳瑞和匡黎！

超武关于“p-GaN栅HEMT动态退化与恢复”的研究被 ISPSD（2022） 选为口头报告：

(ISPSD是功率器件领域的顶级会议，在GaN领域，中国大陆仅有两篇入选口头报告)

"Physical Mechanism of Device Degradation & its Recovery Dynamics of p-GaN Gate HEMTs Under Repetitive Short Circuit Stress"

佳瑞关于“p-GaN栅HEMT自热效应”的研究被 IEEE-TED（2022） 接收：

"The Device Instability of p-GaN Gate HEMTs Induced by Self-Heating Effect Investigated by on-State Drain Current Injection (DCI) Technique"

匡黎关于“新型增强型GaN p-MOSFET”的研究被 J. Phys. D: Appl. Phys（2022） 接收：

"A novel E-mode GaN p-MOSFET featuring charge storage layer with high current density"

恭喜力扬和鹏翔！

力扬关于“超薄势垒AlGaN/GaN异质结特性”的研究被 IEEE-TED（2022） 接收：

"The Modulation Effect of LPCVD-SixNy Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure"

鹏翔关于“垂直沟槽栅GaN晶体管”的研究被 IEEE-TED（2022） 接收：

"A Novel Trench-Gated Vertical GaN Transistor With Dual-Current-Aperture by Electric-Field Engineering for High Breakdown Voltage"

恭喜周琦教授！

周琦教授被推荐为 《半导体学报》（JOS）青年编委。

恭喜周琦教授！

周琦教授被推荐为《微电子工程》（MEE）副主编/领域编辑。

恭喜周琦教授！

周琦教授被推荐担任国际固态器件与材料会议（SSDM 2021-2023）技术程序委员会（TPC）成员。

国际固态器件与材料会议（SSDM）由日本应用物理学会（JSAP）主办逾50年，在工程领域具有深远影响力。

恭喜力扬和匡黎！

力扬关于“低泄漏AlGaN/GaN功率二极管”的研究被 ICSICT2020 选为口头报告：

"A Novel Ultra-thin-barrier AlGaN/GaN MIS-gated Hybrid Anode Diode Featuring Improved High-temperature Reverse Blocking Characteristics"

匡黎关于“新型GaN JFET”的研究被 ICSICT2020 选为 口头报告：

"A Novel GaN Junction Field-Effect Transistor with Intrinsic Reverse Conduction Capability"

恭喜黄鹏！

黄鹏关于“垂直GaN超结FET”的研究获 CPSSC'2019最佳学生论文奖。